教材习题电子版
初中英语听力-
1.1
选择题
1.
在本征半导体中加入
(
)
p>
元素可形成
N
型半导体,加入
(
)
元素可形成
P
型半导体。<
/p>
A.
五价
B.
四价
C.
三价
D.
二价
2
.
在杂质半导体中,多子的浓度主要取决于(
)
,而少子的浓度主要取决于(
)
A
温度
B
掺杂工艺
C
杂质浓度
D
晶体缺陷
3.
半导体
PN
结在外加反向电压时对其电流的形成无影响的是(
)
。
A
.多子
B
.少子
C
.温度
D
.漂移运动
结上加正向电压,易于进行(
)运动
A
.多子漂移
B
.多子扩散
C
.少子漂移
D
.少子扩散
结加正向电压,其内电场会(
)
A
.被削弱
B
.被加强
C
.没变化
D
.可能削弱,也可能加
6.
本征半导体中,电子浓度与空穴浓度关系为(
)
A
.大于
B
.小于
C
.相等
D
.可能大,也可能小,与材料有关
1.2
判断题
1.
半导体受本征激发时,空穴和自由电子是成对产生的。
(
)
p>
2.
在
N
型半导体
中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为
P
型半导
体
。
(
)
3.<
/p>
因为
N
型半导体的多子是自由电子,所以
它带负电。
(
)
p>
结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
(
)
5.
由于
P
N
结交界面两边存在电位差,所以当把
PN
结两端短路时就有电流流过。
(
)
结方程可以描述
PN
结正反向特性,也可以描述
PN
结反向击穿特性(
)
p>
7.
漂移电流是由多子在内电场作用下形成的。
(
)
1.3
填空题
结少数载流子的浓度取决于
。
结外加电压与电流数学关系为
。
3.
漂移电流是
电流,它由
载流子形成,其大小
有关,而与外加电压
。
4.<
/p>
据击穿机理不同,
PN
结的反向击穿分为
和
,据击穿是否是破坏性的分
为
和
。
5.P
型半导体是在本征半导体中加入
价元素形成,多子为
。
6.N
型半导体中自由电子是
p>
(多子,少子),因此
N
型半导体带
(正电,负电,
电中性)。
7.
二极管的反向电阻比正向电阻___
(
p>
大,小
)
得多。因此
PN
结的最大特性是_____
8.
当
PN
结
外加正向电压时,扩散电流__漂移电流,耗尽层___
p>
9.
稳压管工作在二极管特性曲线的_____区域
1.4
什么是模拟信号?什么是数字信号?二者有什么异同与特点?
1.5
电子信息系统基本组成部
分一
般有哪些?有什么特点。
1.6 <
/p>
分析
PN
结伏安特性。
< br>
1.7
PN
结电容特性有哪些特点?
2.1
选择题
1.
稳压二极管的稳压区是工作在
。
A.
正向导通
B.
反向截止
C.
反向击穿
2.
晶体三极管
的集电极电流
I
C
p>
略大于
I
CM
,则
该
晶体三极管
。
A. PN
结发热烧坏
B.
β
下降,失去放大能力
C.
烧断引线
3.
共射放大器电路发生饱和失真,
若要使电路输出电压
u
p>
o
的波形不产生失真,
则
< br>
。
A.
R
C
应增大
B.
R
B
应增大
C.
U
CC
应减小
D.
U
i
应增大
4.
在共射放大射极偏置电路中,如果射极电阻并联旁路电容
C
E
,若除去
C
E
,
该电路的放大
< br>倍数
A
u
,输入电阻
,输出电阻
R
o
。
A.
增大
B.
减小
C.
不变
(
或基本不变
)
D.
变化不定
5.
既能放大电压,也能放大电流的是
(
)
组态放大电路;可以放大电压,但
不能放大
电流的是
组态放大电路;只能放大电流,不能放大电压是
组态放大电路。
A.
共射
B.
共集
C.
共基
D.
不定
2.2
填空题
1
.二极管的正向电流是由
载流子的
运动形成的;反向电流是由
载流子的
运动形成的。
2
.双极型
晶体三极管
从结构上可以分成
和
两种类型,它们工作时有
和
两种载流子参与导电,晶体三极管属于
控制型器件。
3
.
晶体三极管
的输出特性曲线有三个工作区,
分别是
、
、
。
4
.温度
升高时,
晶体三极管
的共射输入特性曲线将
,输出特性曲线将
,
而且输出特性曲线之间的间隔将
。
5
.
p>
测得
NPN
型硅
晶
体三极管
U
BE
=
-
0.3V
,
U
< br>BC
=
-
10V
,
可判定该
晶体三极管
工作在
区。
6
.某
晶体三极管
的三个电极的电位分别为
U
1
=2V
,
U
2
=1.7V
,
U
3
=
-
2
.5V
,可判定该晶体三
极管
“1”<
/p>
脚为
极,
“2”
脚为
极,
“3”
脚为
极,且属于
材料
型的晶体
三极管。
< br>7
.在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中,电压放大倍数小于
1
的是
组态;输
入电阻最大的是
组态,
最小的是
组态;
输出电阻最大的是
组态,
最小的是
组态。
2.3
理想二极管电路如图
2-65
所示,试判断图中二极管状态,并求输出端电压
u
o
与
I
。
< br>
D
6V
3k
< br>Ω
12V
+
D
< br>3k
Ω
15V
12V
+
D
1
D
2
3k
Ω
15V
12V
(c)
+
D
1
D
2
6V
+
u
o
u
o
u
o
I
−
−
3k
Ω
I
12V
u
o
−
−
(a)
(b)
< br>−
(d)
图
2-65
题
2.3
图
2.4
如图
2-66
所示的理想二极管电路中,输入电压
u
i
=10sin
ωt
V
,<
/p>
E
=5V
。试画出输入、输
出电压的波形。
2.5
如图
2-67
所示二极管电路,二极管导通压降
U
BE
=0.7V
,
R
=300Ω
,
E
p>
=3V
,计算:
(1)
< br>二
极管
D
直流等效电阻;
(2)
在常温
300K
二极管对微变信号
u
i
所呈现的动
态电阻
r
i
。
2.6
如图
2-68
< br>所示硅稳压管稳压电路,
D
Z1
和
D
Z2
的稳定电压为别为
5V
和
10V
,
求电路的输
出电压
U
o
,已知稳压管的正向压降为
0.7V
。
2.7
如图
2-69
所示硅稳压管稳压电路,条件同题
2.6
,计算
U
o
。
+
R
D
< br>1
D
2
+
+
C
R
E
D
u
i
−
E
p>
u
o
E
−
u
i
−
1k
Ω
D
Z1
+
25V
−
+
D
Z2
+
1k
Ω
D
Z1
25V
D
Z2
+
U
O
−
−
U
O
< br>−
图
2-66
题
2.4
图
图
2-67
题
2.5
图
图
2-68
题
2.6
图
图
2-69
题
2.7
图
2
.8
某
晶
体三极管
极限参数为
I
CM
=20mA
,
U
(BR)
CEO
=20V
,
P
< br>CM
=100mW
。判定下列各情况中
< br>哪种情况工作正常。为什么?
(1)
U
CE
=5V
,
I
C
=8
mA
;
(2)
U
CE
=2V
,
I
< br>C
=30mA
;
(3)
U
CE
=10V
,<
/p>
I
C
=12mA
;
(4)
U
CE
=25V
,
I
C
< br>=1μA
。
2.9
测量某放大电路中硅
晶体三极管
各电极对地的电
压值如下,
试判断管子的工作区域。
(1)
U
C
=6V
,
U
B
=0.7V
< br>,
U
E
=0V
< br>;
(2)
U
C
< br>=6V
,
U
< br>B
=2V
,
< br>U
E
=1.3V
;
(3)
U
C
=6V
,
U
B
=6V
,
U
E
=5.
4V
。
2.10
< br>某放大电路中
晶体三极管
三个电极
A
、
B
、
C
的电流如图
2-70
所示,用万用表直
流档
测得
I
A
=
-
2mA
,
I
B
=
-
0.
04mA
,
I
C
=2.04mA
,试分析
A
、
B
、
C
中哪个是基极
、发射极、集
电极,并说明此管是
NPN
管还是
PNP
管,它的
β
=
?
2.11
在图
2-71 (a)
p>
所示的放大电路中,已知
U
CC
=12V
,
R
C
=2kΩ
,
R
L
=2kΩ
,
R
B
p>
=100kΩ
,电位
器总电阻
R
P
=1MΩ
,
晶体三极管
的电流放大倍数
= 50
,
U
< br>BEQ
=0.6V
。试求:
(1)
当
R
P
调到
0
时静态工作点
(
I
B
,
I
C
,
U
CE
)
,并判断
晶体三极管
工作在什么区;
(2)
当
R
P
调到最大时静态工作点
(
I
B
,
I
C
,
U
CE
)
,并判断
晶体三极管
工作
在什么区;
(3)
若使
U
CE
=6V
,
R
P
应调到多大?
(4)
若在
U
CE
=6V
< br>的条件下,
输入和输出信号波形如图
2-
71
(b)
所示,
判定它
p>
产生了什么失真,说明应如何调节
R
P
p>
以减小失真,为什么?
A
I
A
R
p
R
B
+
+
+
U
CC
u
i
/V
0
+
<
/p>
R
C
i
C
i
B
T
C
2
+
t
u
o
/V
I
< br>C
C
I
B
B
u
i
_
C
1
R
L
p>
u
o
_
0
t
(a)
(b)
图
2-70
题
2.10
图
图
2-71
题
2.11
图
2.1
2
在图
2-72
所示的电路中,
已知
U
CC
=20V
,
R<
/p>
B1
=47kΩ
,
R
B2
=150kΩ
,
r
bb′
=300Ω
,
p>
U
BEQ
=0.7V
,
R
C
=
R
L
=3.3kΩ
,
R
f
=
R
E
=1.3k
,
β
=100
。计算电路电路电压增益
A
u
,输出电阻
R
O
< br>,输入电阻
R
i
。
2.1
3
在图
2-73(a)
所示放大电路中
,已知
U
CC
=12V
,
U
BEQ
=0.6V
,
R
E
=2k
Ω
,
R
L
=2kΩ
,
晶体
三极管<
/p>
的电流放大倍数
= 50
。
(1)
若使
U
CE
=6V
,则
R
B
为多少?
(2)
若输入、输出信号波
形如图
2-73(b)
所示,电路产生了什么失真?如何调节
R
B
才能消除失真?
< br>
R
C
+U
CC
+
R
B1
C
1
+
+
+
C
1
+
u
i
−
_
R
B
+U<
/p>
CC
C
2
+
p>
R
E
+
u
i
/V
0
u
o
/V
t
C
2
R
f
< br>
R
E
R
L
C
E
−
u
i
−
R
p>
B2
u
o
R
L
u
o
_
0
t
(a)
+++
(b)
+++
图
2-7
2
题
2.12
图
图
2-7
3
题
2.13
图
3.1
选择题
1.
场效应管
(单极型管)
与
晶体三极管
(双极型管)
相比,
最突出的优点是可以组成
p>
输
入电阻的放大电路。
此外它还有噪声
p>
、
温度稳定性
、
抗辐射能力
等优于
晶体三极管
< br>的特点。
(
A
)高,低(
B
)高,低(
C<
/p>
)好,差(
D
)强,弱
< br>
2.
不定项选择题:开启电压
U
T
是
p>
的参数。夹断电压
U
P
是
的参数。
(
A
)增强型
MOS
管(
B
)结型场效应管(
C
)耗尽型
MOS
管
3.2
填空题
1.
场效应管有
、
和
三个工作区。放大作用时,工作在
。
2.
单结晶体管有
个
PN
结,
晶闸管有
个
PN
结。
3.3
判断下列说法的正误,在相应的括号内画
“T”
表示正确,画
“F”
表
示错误。
1.
场效应管仅靠一种载流
子导电。
(
)
2.
结型
场效应管工作在恒流区时,其
u
GS
小
于零。
(
)
3.
场效
应管是由电压即电场来控制电流的器件。
(
)
4.<
/p>
增强型
MOS
管工作在恒流区时,其
p>
u
GS
大于零。
(
)
p>
5.
u
GS
=0<
/p>
时,耗尽型
MOS
管能够工作在恒流区。
(
)
6.
低频
跨导
g
m
是一个常数。
(
)
3.4
试
判断题图
3-37
所示的场效应管放大电路能否进行正常放大,
并说明理由。
+U
DD
R
D
R
G1
C
b1
+
+
< br>U
DD
C
b2
< br>+
+
R
D
C
b1
u
i
−
−
C
b2
+
T
R
G3
R<
/p>
G2
R
s
C
p>
u
o
R
G
u
R
S
(b)
u
i
−
C
o
−
(a)
+U
DD
R
D
R
G1
C
b1
+
+
U
DD
R
D
C
b2
+
< br>+
C
b2
+
C
b1
u
i
−
T
R
G3
R
G2
R
S
C
u
o
R
G
p>
u
R
S
(d)
p>
C
o
u
i
−
−
−
(c)
图
3-37
题
3.4
图
U
P
均为
1V
,问它们各工作
于
什么区?
3.5
设图
3-38<
/p>
中的
MOSFET
的
U
T
、
6V
6V
2V
2V
U
T
=-1V
-1V
(d)
2V
U
P
=-1V
p>
(a)
2V
U
T<
/p>
=1V
(b)
U
P
=1V
-3V
(c)
图
3-38
题
3.5
图
3.6
电路如图
3-39
(
a
)所示,图
3-39<
/p>
(
b
)是
器件<
/p>
转移特性曲线,求解电路的
Q
点、电压增
益,输入电阻,输出电阻。
+12V
i
D
/mA
3
R
D
R
G1<
/p>
1M
3K
C
2<
/p>
2
C
1
R
L
u
i
R
G2
1M
3K
u
o
1
0
2
4
(b)
6
u
GS
/V
(a)
3-39
图
题
3.6
图
3.7
如
图
3-40
所示,设场效应管的
g
m
p>
、
r
d
很大;
p>
BJT
的电流放大系数为
β
,输入电阻为
r
be
。
试说明
T
1
、
T
2
个属什么组态,求电路的电压增益,输入
电阻,输出电阻。
R
C
T
1
T
2
< br>C
E
U
DD
C
2
u
o
R
L
C
1
u<
/p>
i
R
G
R
E
图
3-40
题
3.7
图
4.1
选择题
1.
完全相同的单级放大器构成阻容耦合与直接耦合多级放大器之间主要区别在于
p>
(
)
。
A.
所放大信号不同
B.
交流通路不同
C.
直流通路不同
D.
放大总增益不同
2.
已知两共射极放大电路空载时电压放大倍数绝对值分别为
A
u
1
和
p>
A
u
2
,若将它们
接成两级
放大电路,则其放大倍数绝对值(
)
。
A.<
/p>
A
u
1
A
u
2
B.
A<
/p>
u
1
+
A
u
1
C.
大于
A
u
1<
/p>
A
u
2
D.
小于
A
u
1<
/p>
A
u
2
3.
放大电路产生零点漂移的主要原因是
____
。
A.
温度变化引起参数变化
B.
采用直接耦合方式
C.
晶体管噪声太大
D.
外界存在干扰源
4.
电流源常用于放大电路,作为
____
(
A.
有源负载,
B.
电源,
C.
信号源)
,使得放大倍数
____
(
A.
提高,
B.
稳定)
。
5.
设计一个两级放大电路,要求电压放大倍数的数值大于<
/p>
10
,输入电阻大于
10MΩ
,输出
电阻小于
100Ω
,第一级和第二级应分别采用
(
)
。
A.
共漏电路、共射电路
B.
共源电路、共集电路
C.
共基电路、共漏电路
D.
共源电路、共射电路
6.
对恒压源电路的基本要求是(
)
。
A.
电压放大倍数大
B.
输出电阻低
C.
对器件参数变化不敏感
D.
输
出电压对温度变化不敏感
7.
采用差动放大电路的优点是(
)
。
A.
电压放大倍数大
B.
稳定直流工作点
C.
克服温度漂移
D.
扩展频带宽度
< br>8.
威尔逊电流镜的恒流效果比基本电流镜的恒流效果好,是因为(
)
。
A.
电压放大倍数大
B.
具有电流深负反馈
C.
输出电阻大
D.
具有电压深负反馈
9.
为放大变化缓慢的微弱信号,放大电路应采用(
)耦合方式。
A.
直接耦合
B.
电阻耦合
C.
电容耦合
D.
变压器耦合
10.
< br>在差放电路中,用恒流源代替
R
E
是为了(
)
。
A.
提高差模放大倍数
B.
提高共模放大倍数
C.
提高共模抑制比
D.
提高差模输出电阻
4.2
填空题
1.
设差放电路的两个输入端对地的电压分别为
u
i1
和
u
i2
,差模输入电压为
u
id
,共模输入电压
为
u
ic
,
则当
u
i1
=50mV
,
u
i2
=50mV
时,
u
id
=___
,
u
ic
=___
;
< br>当
u
i1
=50mV
,
u
i2
=−50mV<
/p>
时,
u
id
=_
__
,
u
i
c
=___
;当
u
i1
=50mV
,
u
i2
=0V
时,
u
id
=___
,
u
p>
ic
=___
。
2.
三级放大电路中
A
u
1
=20dB
,
A
u
2
=
A
u
3
< br>=30dB
,则总电压增益
A
u
为
。该三级放大器电
路能将其输入的信号放大
倍。
4.3
如图
4-51
所示两级放大电路的交流通路中已知
g
m1
=1mS
,
r
be
=1
k
Ω
,
晶体管
β
=100
。其
余参数
如图,放大电路的
A
u
,
R
o
,
R
< br>i
为多少?
4.4
三级级联的放大器交流放大器如图
4-52
所示,
已知
T
1
管
g
m
=1ms
,
T
2
、
T
3<
/p>
管的
r
be
=2
k
Ω
,
β
p>
=100
,
R
1<
/p>
=1MΩ
,放大电路的
A
u
,
R
o
,
R
i
为多少
?
T
2
T
2
2
K
Ω
T
1
+
+
p>
T
3
+
+
T
1
u
i
R
i
−
< br>R
1
1
K
Ω
R
2
R
3
5
K
Ω
u
p>
o
_
r
d
R
1
8
K
Ω
5K
Ω
u
i
R
O
R
i
−
R
2
R
3
10K
Ω
10K
Ω
R
L
u
o
_
R
o<
/p>
图
4-51
题
4.3
图
图
4-5
2
题
4.4
图
4.5
如图
4-53
< br>所示,已知:
g
m
=0.8ms
,
r
d
=20
0
k
Ω
,
β<
/p>
=40
,
R
D<
/p>
=1
k
Ω
,
p>
R
=2KΩ
,
R<
/p>
E
=180
k
Ω
,
U
DD<
/p>
=18V
,
R
G
= 5.1MΩ
,
< br>R
G1
=47KΩ
,
R
G2
=43
k
Ω
,
r
be
=1
k
Ω
。
A
u
,
r
< br>i
,
r
o
怎样分析?
4.6
如图
4-54
所示差动放大电路,已知参数如下,
U<
/p>
CC
=−
U
EE
=12V
,
I
=1mA
,
R
C
=10KΩ
,
U
< br>BEQ
=0.6V
,
r
be
=3KΩ
,
β
p>
1
=
β
2
=50
,恒流源动态电阻
r
OA
=10MΩ
,解答问题:
<
/p>
1.
计算静态
U
C1
电位
(
图中所标
< br>)
;
2.
画出电路的差模与共模
等效电路,已知信号输入信
号为
u
i1
、
u
i2
,写
出共模
(
u
ic
)
与差模信号
(
u
< br>id
)
表达式;
3.
计算共模抑制比
K
CMRR
。
+U
DD
U
C1
+
u
i2
_
T
1
+
U
CC
+
u
o
_
A
T
2
p>
+
u
i2
_
R
D
R
G2
R
E
R
C
+
u
< br>i
R
G
R
G1
−
R
+
u
o
−
p>
I
−
U
EE
O
图
4-53
题
4.5
图
图
4-54
题
4.6
图
4.7
差动放大电路如图
4-55
p>
所示,设晶体管的参数为
U
CC
=
U
CC
=12V
,稳压管
U
Z
=8V
,
β
1
=β<
/p>
2
=50
,
各管
子
r
be1
=
r
be2
=1.5
k
< br>Ω
,
U
BEQ1
=
U
BEQ2
=
U
BEQ3
=0.6V
,<
/p>
稳压二极管稳定电压
U
2
=8V
,
R
w
的滑动端位于中点,
R
C
=5
kΩ
,
R
=5KΩ
,
R
B
=1 kΩ
,
R
P
=0.1kΩ
,
R
E3
=
3.7 kΩ
,
R
< br>L
=10kΩ
。
试估算:
1.
计算静态工作点
I
CQ1
、
I
CQ2
、
U
CQ1
< br>、
U
CQ2
;
< br>2.
差模电压放大倍数
A
u
p>
d
;
3.
差模输入
电阻
R
id
和输出电阻
R
o
。
4.8
如图
4-56
所示差分放大器中,
已知
T
1
~T
4
管子
β
=50
,
r
b
e
=2kΩ
,
U
CC
=-
U
EE
=12V
,
R
C
< br>=
R
L
=
5 kΩ
,
R
C4
=5 kΩ
,
R
< br>E3
=
R
E4
=7 kΩ
,所有管子
U
BE
不计。完成下列问题:
< br>
1.
各管静态电流
I
CQ1
~
I
CQ4
p>
分别等于多少;
2.
计算输入差模输入电
阻
r
id
与输出电阻
< br>r
od
;
3.
< br>差模放大增益
A
u
d
;
4.
若已知
A-O
p>
端口看入
T
3
管的
交流等效电阻
r
od3
=1MΩ
,
计算共模抑制
比
K
CMRR
。
+U
CC
R
C
u
i1
R
B
T
1
+
R
C
p>
u
o
−
R
L
R
P
T
2
R
C
R
< br>u
i2
R
B
+
−
R
C
R
C4
R
L
T
2
A
+U
CC
u
o
u
i
p>
+
T
1
−
T
3
r
id
D
Z
r
od3
T
3
R
E3
R
E4
T
4
R
E3
−
U
< br>EE
O
−
U
EE
图
4-55
题
4.7
图
图
p>
4-56
题
4.8
图
4.9
如图
4-57
为一场效应管放大器,已知
T
1
管的跨导
g
m
=1mS
,
R
1
< br>=22kΩ,
R
2
=2kΩ
p>
,
R
3
=1kΩ<
/p>
,
R
L
=5kΩ
,
R
G
=10
MΩ
,
U
CC
=12V
。
T
2
、
T
3
管
β
>>
1
,
U
BE
忽略不计。
1.
分析各电路元件作用;
2.
p>
估算静态电流
I
REF
、
I
DQ
、电压放大倍数
A
u
d
与输入电阻
p>
r
i
。
4.10
在图
4-58
所示两级差动放大电路中,设晶体管的参数均为
β
、
r
be
、
U<
/p>
BEQ
,且
β
>
>1
。
1
.
静态
U
CQ4
的值为多少;
2
.差模电压放大倍数
A
u
d
怎样计算?
R
2
I
REF
R
3
C
+U
CC
T
3
R
C
R
C
T
4<
/p>
+
U
CC
+
p>
R
L
u
o
−
R
1
+
+
u
o
R
< br>G
−
u
i
−
R
L
u
i
T
1
+U
BB
R
E
T
2
p>
−
U
EE
4-57
题
4.9
图
4-58
题
4.10
图
4.11
如图
4-59
所示某集成运放输入级的电路原理图,已
知三极管的
β
均为
100
,三极管的
U
BE
和二极管的管压降均为
0.7V
。
(设流过电阻
R
B1
电流
远大于恒流管
T
3
的
< br>基极电流
)
。
1
.
估
算静态工作点;
2
.差模电压放大放大倍数
A
u
d
;
3
.差模输入电阻
r
id
和输出电阻
r
o
。
p>
4.12
如图
4-60
所示多级放大器,
T
1
~
T
5
的电流放大系数分别为
β
,
b-e
间动态电阻分别为
p>
r
be
解答下列问题:
1
.
画出电路的交流通路;
p>
2.
说明图中虚线所示电路名称与作用;
3.
计算
A
u<
/p>
、
R
i
和
R
o
。
+
U
CC
=+6V
5k
Ω
+
U
CC
R
C2
R
C1
R
L
11k
Ω
+
T
1
5k
Ω
R
2
R
3
R
5
< br>T
4
u
o
−
T
2
u
i
2
R
B1
+
T
1
T
2
u
p>
i
−
T
3
T
5
+
T
3
D
1
2K
Ω
2k
Ω
D
< br>2
1.5k
Ω
−
U
EE
=
−
< br>6V
u
o
R
4
R
6
R
7
−
U
EE
−
R
E
R
B2<
/p>
R
1
4-59
题
4.11
图
p>
4-60
题
4.12
图
5.1
选择与填空题。
1.
在考虑放大电路的频率失真时,若
U
i
为正弦波,则
U
o
。
A.
会产生线性失真
B.
会产生非线性失真
C.
为正弦波
D.
不会产生失真
2.
放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因为
p>
,
在低频信号作用
时放大倍数数值下降的原
因为
。
A.
耦合电容和旁路电容的
影响
B.
半导体极间电容和分布电容的
影响
C.
半导体管的非线性特性
D.
放大电路的静态工作点不合适
3.
多级放大电路与单级放大电路相比,总的通频带一定比它的任何一级都
< br>
。
级数越多则上限频率
f
H
越
,高频附加相移
。
A.
大
B.
小
C.
宽
D.
窄
4.
具
有相同参数的两级放大电路,在组成它的各个单级放大电路的截止频率处,总的电压
放大
倍数将下降
。
A. 3dB
B.
6dB
C. 20dB
D. 9dB
5.
直接耦合多级放大器与阻容耦合多级放大器相比,
低频响应
< br>
(
p>
填
“
好
”
或
“
差
”)
。
6
.频率响应是指在
输入正弦信号的情况下,
。
7.
某一放大器通频带为
0~20
k
Hz
,
A
u
m
=200
,若输入信号
u
i
=20sin(2π×20×10
3
t
)mV
,实际电
路增益为
A
u
p>
,输出电压峰值
U
om
=
V
。
8.
在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是
电容,影响高频信号放大
的是
电容。
5.2
放大电路如图
5-34
所示。已知
R
B
=4
70k
Ω
,
R
s
=500Ω
,
R
L
=∞
,三极管的
β
=50
,
r
be
=2k
Ω
,
电路中频区电
压增益
20lg|
A
u
|=40dB
,通频带范围为
10Hz~100kHz
。
(1)
确定
R
C
的数值;
(2)
计算电容
C
1
的大小。
+
U
CC
R
B
C
1
R
s
+
U
s
_
+
U
i
_
_
+
R
L
U<
/p>
o
R
s
U
s
_
+
R
C
+
+
U
i
_
R
B1
< br>30k
Ω
C
1
< br>+
3.3
μ
F
< br>R
B2
10k
Ω
R
E
2.2k
Ω
+
R
C
3.3k
Ω
+
C
2
R
L
3k
Ω
< br>C
E
+U
CC
< br>+
U
o
_
图
5-34
题
5.2
图
图
5-35
题
5.3
图
5.3
放大电路及元件参数如图
5-
35
所示。
已知三极管的特征频率
f<
/p>
T
=150MHz
,
< br>C
b′c
=5 pF
,
r
bb′
=100Ω
,
r
b′e
=1.2kΩ
,
r
ce
=120 kΩ
。求电路的上限截止频率
f
H
。
5.4
共射放大电路如图
5-3
p>
6
所示。已知三极管的
r
< br>bb′
=100Ω
,
r
b′e
=900Ω
,
g
m
=0.
04S
,
C′
b′e
< br>=500pF
。
(1)
p>
试计算中频电压放大倍数
A
u
s
;
(2)
试计算上下限截止频率
f
H
、
f
L
;
(3)
画出幅频、相频特性曲线。
5.5
已知某放大电路的对数幅频特性曲线如图
5-37
所示。
(1)
该电路由几级阻容耦合电路构成?
(2)
每级的下限和上限截止频率各为多少?
(3)
总的电压放大倍数、下限和上限截止频率各是多少?
+
U
CC
R
B
377k
Ω
6k
Ω
C
2
+
5
μ
F
3k
Ω
+
R
< br>C
20
lg
A
< br>u
/
dB
40
< br>20
0
10
1
< br>10
2
10
3
< br>10
4
10
5
< br>C
1
R
s
1k
Ω
+
+
+
2
μ
F
R<
/p>
L
U
i
_
U
o
_
U
s
_
f/
Hz
图
5-36
题
5.4
图
5-37
题
5.5
5.6
< br>已知某放大电路电压增益的复数表达式如下,
其中
f
p>
的单位为
Hz
。
0.5
f
2
A
u
f
p>
f
f
(1
j
)(1
j
2
)(1
j
5
)
2
10
10
(1)
求中频
电压放大倍数
A
u
m
< br>;
(2)
求下限和上限截止频率。
5.7 <
/p>
两级放大电路的交流通路如图
5-38
所
示,已知
R
s
=100Ω
,
r
bb′1
=
r
bb′2
=
50Ω<
/p>
,
C
b′e1
=50pF
,
C
b′e2
=75pF
,
C
b′c1
=
C
b′c2
=3pF
,
r
b′e1
=500Ω<
/p>
,
r
b′e2
=250Ω
,
R
L1
=5kΩ
,
R
< br>L2
=5kΩ
,
g
m1
=100mS
,
g
p>
m2
=800mS
,试求放大电路的上限截
止频率
f
H
。
5.8
单管共源放大电路如图
5-3
9
所示。
已知
C
gs
=
C
gd
=1pF
,
U
GS(off)
=
-
2V
,
I
DSS
=8mA
,
r
ds
=∞
。
试用密勒定理的近似方法估算放大电路的增益带宽积。
+U
DD
+
R
D
R
G2
5k
Ω
1.4M
Ω
p>
+20V
T
2
C<
/p>
3
+
R
S
+
T
1
R
L2
R
L1
U
o
+
R
100k
Ω
C
1
R
L
R
G2
0.6M
Ω
U
s
_
_
U
s
< br>_
R
s
35k
< br>Ω
10k
Ω
U
< br>o
C
2
_
图
5-38
题
5.7
图
5-39
题
5.8